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ABB S-073N 3BHB009884R5211 半导体晶闸管

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ABB  S-073N 3BHB009884R5211   半导体晶闸管

电阻器无处不在,用途广泛。我们可以利用它们来打开和关闭微小的电流(计算机内存背后的原理),并把小电流转换成更大的电流(放大器的工作)。

但是当处理较高的电流时,它们并不能发挥作用,还有一个缺点是,一旦你除去开关电流,它们就会完全关闭,这意味着你想要触发冰的电路无限期的报警装置并不是非常有用。

在这种情况下,晶闸管会派上用场。

什么是晶闸管?

晶闸管是用硅制成的单向半导体器件。晶闸管基本上是一种由交流型和n型材料组成的三层四层半导体器件。

IGCT 相模块: IGCT(绝缘栅双极性晶闸管)是一种功率半导体器件,通常用于高压、高功率应用,如电力变频器、电力传输等。

相模块功能: 这款模块可能具有相位控制功能,用于调整电流和电压的相位角度,以实现电力控制。

高功率应用: IGCT 相模块通常用于高功率应用,如电力变频器、工业电机控制等。

电力电子控制: 这类模块通常用于电力电子控制系统,用于实现电力传输、电机控制和能源转换等功能。

稳定性: 电力电子系统要求高稳定性,这款模块可能具备稳定的性能,以确保系统的可靠运行。

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IGCT的压装设计具有以下优点

设备可以直接安装在两个散热器之间,因此可以同时从两侧进行有效冷却。同时从两侧进行有效冷却。此外,不需要厚厚的导热化合物层,因此冷却系统的热阻非常低。此外,不需要厚厚的导热层,因此冷却系统的热阻非常低。这直接转化为这直接转化为组件的高功率密度,并减少了给定额定功率的变流器所需的空间。与使用隔离功率元件的组件相比,特定额定功率的变流器所需的空间更小。与使用隔离功率元件的组件相比,可减少给定额定值变流器所需的空间。高负载循环能力的压装设计IGCT的密封压装设计已经证明了其非凡的负载循环能力和可靠性。多年的现场应用证明了其非凡的负载循环能力和可靠性。的可靠性。仅由几层精心设计的材料组成设计良好的材料,因此不会出现其他封装中明显的焊料空隙或粘接脱落问题。其他封装技术中明显存在的焊接空洞或粘结脱落问题。适当的涂层和所用材料本身可确保在间歇性负载下工作时,由于温度偏差造成的器件机械磨损保持在合理的范围内。这使得IGCT

非常适合在恶劣条件下的应用,如钢厂、矿井提升机、船舶驱动等恶劣条件下的应用。在要求高功率处理能力、低损耗和高可靠性的应用中在需要高功率处理能力、低损耗和高可靠性的应用中,IGCT成为首选器件。典型应用包括电机驱动、互感器、断路器和可再生能源、断路器和可再生能源。原因在于原因在于晶闸管结构提供了极低的导通损耗晶闸管结构提供了极低的导通损耗,半导体中可忽略不计的导通损耗以及高可靠性。半导体损耗和高可靠性。器件的高可靠性。在上述应用中经过验证的现场在上述应用中的经验表明,IGCT是最新电路拓扑(如模块化电路)的理想开关。模块化多电平转换器(MMC多电平转换器(MMC)的理想开关。

高功率处理能力

高压直流电源系统(HVDC)。

转换器额定功率大于5 MVA的大功率半导体效率分析除了高器件可靠性外,低器件损耗器件损耗是IGCT的主要优势。

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